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APT5010JLLU2

APT5010JLLU2

Solo per riferimento

Numero parte APT5010JLLU2
PNEDA Part # APT5010JLLU2
Descrizione MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.938
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT5010JLLU2 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT5010JLLU2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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APT5010JLLU2 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C41A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4360pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)378W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC

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Produttore

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Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

385mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 340µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 100V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220ABFP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

IRF6710S2TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 37A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 13V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta), 15W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET S1

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric S1

STI11NM60ND

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

FDmesh™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

APT58F50J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

58A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

340nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

540W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

STH185N10F3-6

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6665pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

315W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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MAX232AEPE

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T9AS1D12-15

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