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APT40GR120B2SCD10

APT40GR120B2SCD10

Solo per riferimento

Numero parte APT40GR120B2SCD10
PNEDA Part # APT40GR120B2SCD10
Descrizione IGBT 1200V 88A 500W TO247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.528
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT40GR120B2SCD10 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT40GR120B2SCD10
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT40GR120B2SCD10 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)88A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 40A
Potenza - Max500W
Switching Energy929µJ (on), 1070µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge210nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/166ns
Condizione di test600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT and Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Potenza - Max

180W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

275nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

140ns/630ns

Condizione di test

600V, 60A, 51Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

1.2µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264-3

IRGC4660B

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

48A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

45ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

STGW80H65DFB

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Potenza - Max

469W

Switching Energy

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

414nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

84ns/280ns

Condizione di test

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

85ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

IRG7CH73UEF-R

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

540nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

90ns/580ns

Condizione di test

600V, 75A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Die

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Produttore

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23A

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