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APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Solo per riferimento

Numero parte APT35GT120JU2
PNEDA Part # APT35GT120JU2
Descrizione IGBT 1200V 35A 260W SOT-227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.186
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT35GT120JU2 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT35GT120JU2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APT35GT120JU2 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)55A
Potenza - Max260W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 35A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce2.53nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

27A

Potenza - Max

94W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

VS-GB150TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

1008W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

Double INT-A-PAK

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

180A

Potenza - Max

760W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

7.5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Y3-DCB

Pacchetto dispositivo fornitore

Y3-DCB

APTGF15H120T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Potenza - Max

140W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 15A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

105A

Potenza - Max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1.5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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