APT10SCD65KCT
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| Numero parte | APT10SCD65KCT |
| PNEDA Part # | APT10SCD65KCT |
| Descrizione | DIODE SILICON 650V 17A TO220 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.464 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT10SCD65KCT Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT10SCD65KCT |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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APT10SCD65KCT Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 17A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 650V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 800mV @ 20A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 12µA @ 40V Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore LPDS |
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