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AOW11S60

AOW11S60

Solo per riferimento

Numero parte AOW11S60
PNEDA Part # AOW11S60
Descrizione MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.200
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AOW11S60 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAOW11S60
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AOW11S60, AOW11S60 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 277,42 KB)
PDFAOW11S60 Datasheet Copertura
AOW11S60 Datasheet Pagina 2 AOW11S60 Datasheet Pagina 3 AOW11S60 Datasheet Pagina 4 AOW11S60 Datasheet Pagina 5 AOW11S60 Datasheet Pagina 6

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AOW11S60 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs399mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds545pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)178W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P(L)

Pacchetto / Custodia

TO-3PL

FDB0630N1507L

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

130A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9895pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263-7

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

NX138BKWF

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

210mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

SPA07N60CFDXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

32W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5730pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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