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AOTF2610L

AOTF2610L

Solo per riferimento

Numero parte AOTF2610L
PNEDA Part # AOTF2610L
Descrizione MOSFET N-CH 60V 35A TO220F
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.042
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AOTF2610L Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAOTF2610L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AOTF2610L, AOTF2610L Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 348,22 KB)
PDFAOTF2610L Datasheet Copertura
AOTF2610L Datasheet Pagina 2 AOTF2610L Datasheet Pagina 3 AOTF2610L Datasheet Pagina 4 AOTF2610L Datasheet Pagina 5 AOTF2610L Datasheet Pagina 6 AOTF2610L Datasheet Pagina 7

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AOTF2610L Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Ta), 35A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2007pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.1W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3F
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

58A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3902pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

IPP03N03LB G

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7624pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SSM4K27CTTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

205mOhm @ 250mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

174pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

400mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

CST4 (1.2x0.8)

Pacchetto / Custodia

4-SMD, No Lead

STF11N65M5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

644pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

PSMN5R6-60YLX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5026pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

167W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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