Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AOTF11C60

AOTF11C60

Solo per riferimento

Numero parte AOTF11C60
PNEDA Part # AOTF11C60
Descrizione MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AOTF11C60 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAOTF11C60
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AOTF11C60, AOTF11C60 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 466,94 KB)
PDFAOTF11C60 Datasheet Copertura
AOTF11C60 Datasheet Pagina 2 AOTF11C60 Datasheet Pagina 3 AOTF11C60 Datasheet Pagina 4 AOTF11C60 Datasheet Pagina 5 AOTF11C60 Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AOTF11C60 Datasheet
  • where to find AOTF11C60
  • Alpha & Omega Semiconductor

  • Alpha & Omega Semiconductor AOTF11C60
  • AOTF11C60 PDF Datasheet
  • AOTF11C60 Stock

  • AOTF11C60 Pinout
  • Datasheet AOTF11C60
  • AOTF11C60 Supplier

  • Alpha & Omega Semiconductor Distributor
  • AOTF11C60 Price
  • AOTF11C60 Distributor

AOTF11C60 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2010pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)50W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3F
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

I prodotti a cui potresti essere interessato

TPN8R903NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta), 22W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

IXTQ50N20P

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

PolarHT™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2720pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

360W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

STD9NM50N

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

560mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STP33N65M2

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M2

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1790pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

190W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

NDB6060

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

48A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Venduto di recente

MBR0540-TP

MBR0540-TP

Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

KSZ8081RNBIA-TR

KSZ8081RNBIA-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 32QFN

7443556350

7443556350

Wurth Electronics

FIXED IND 3.5UH 22.5A 3.1 MOHM

SZNUP2105LT1G

SZNUP2105LT1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 24V 44V SOT23-3

STPS1H100A

STPS1H100A

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA

LNJ208R8ARA

LNJ208R8ARA

Panasonic Electronic Components

LED RED SS TYPE LED SMD

AD5676RBRUZ

AD5676RBRUZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 20TSSOP

PIC18LF1320-I/P

PIC18LF1320-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 18DIP

EPM1270F256C5N

EPM1270F256C5N

Intel

IC CPLD 980MC 6.2NS 256FBGA

LT1963AEST-1.8#PBF

LT1963AEST-1.8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 1.8V 1.5A SOT223-3

74HC14DR2G

74HC14DR2G

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

TAJB106K016RNJ

TAJB106K016RNJ

CAP TANT 10UF 10% 16V 1411