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AOT264L

AOT264L

Solo per riferimento

Numero parte AOT264L
PNEDA Part # AOT264L
Descrizione MOSFET N-CH 60V 19A TO220
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.300
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AOT264L Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAOT264L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AOT264L, AOT264L Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 358,89 KB)
PDFAOT264L Datasheet Copertura
AOT264L Datasheet Pagina 2 AOT264L Datasheet Pagina 3 AOT264L Datasheet Pagina 4 AOT264L Datasheet Pagina 5 AOT264L Datasheet Pagina 6

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AOT264L Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C19A (Ta), 140A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8400pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.1W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

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HUF76645S3S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

310W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK7M15-60EX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

42.9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1262pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

62W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK33

Pacchetto / Custodia

SOT-1210, 8-LFPAK33

IRFI730GPBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

IPI50CN10NGHKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

44W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO262-3

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STL35N75LF3

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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