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AON7902

AON7902

Solo per riferimento

Numero parte AON7902
PNEDA Part # AON7902
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.014
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AON7902 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAON7902
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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AON7902 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A, 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 15V
Potenza - Max1.8W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN-EP (3.3x3.3)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-ECH

FDW9926NZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

APTSM120AM08CT6AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

370A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1360nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2300W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

FDPC8012S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 26A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1075pF @ 13V

Potenza - Max

800mW, 900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Potenza - Max

285mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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