AON6508_101
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| Numero parte | AON6508_101 |
| PNEDA Part # | AON6508_101 |
| Descrizione | MOSFET N-CH DFN |
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.104 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
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AON6508_101 Risorse
| Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AON6508_101 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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AON6508_101 Specifiche
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | AlphaMOS |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta), 32A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2010pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 4.2W (Ta), 41W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerSMD, Flat Leads |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 270mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 330mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-3 (SOT323) Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ CE Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 470µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore Transphorm Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 480V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 81W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET N-Channel Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V Vgs (massimo) +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Die Outline (11-Solder Bar) Pacchetto / Custodia Die |
