AOI1R4A70
Solo per riferimento
| Numero parte | AOI1R4A70 |
| PNEDA Part # | AOI1R4A70 |
| Descrizione | 700V, A MOSTM N-CHANNEL POWER TR |
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.796 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
AOI1R4A70 Risorse
| Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | AOI1R4A70 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- AOI1R4A70 Datasheet
- where to find AOI1R4A70
- Alpha & Omega Semiconductor
- Alpha & Omega Semiconductor AOI1R4A70
- AOI1R4A70 PDF Datasheet
- AOI1R4A70 Stock
- AOI1R4A70 Pinout
- Datasheet AOI1R4A70
- AOI1R4A70 Supplier
- Alpha & Omega Semiconductor Distributor
- AOI1R4A70 Price
- AOI1R4A70 Distributor
AOI1R4A70 Specifiche
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | aMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 354pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 48W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251A |
| Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11810pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 349W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore IXYS Serie TrenchMV™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 550W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B Pacchetto / Custodia SOT-227-4, miniBLOC |
