AOE6930
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| Numero parte | AOE6930 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | AOE6930 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN | ||||||||||||||||||
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 7.858 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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AOE6930 Risorse
| Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AOE6930 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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AOE6930 Specifiche
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | AlphaMOS |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc), 85A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V |
| Potenza - Max | 24W, 75W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A, 1.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 15V Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.62nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 85.4pF @ 10V Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6) |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 7.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.6W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 2x5 Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® (2x5) |
