AOB20S60L
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| Numero parte | AOB20S60L |
| PNEDA Part # | AOB20S60L |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 |
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 15.912 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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AOB20S60L Risorse
| Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AOB20S60L |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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AOB20S60L Specifiche
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | aMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.8nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1038pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 266W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
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