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AO9926BL

AO9926BL

Solo per riferimento

Numero parte AO9926BL
PNEDA Part # AO9926BL
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8-SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.348
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO9926BL Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO9926BL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO9926BL, AO9926BL Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 246,8 KB)
PDFAO9926BL_101 Datasheet Copertura
AO9926BL_101 Datasheet Pagina 2 AO9926BL_101 Datasheet Pagina 3 AO9926BL_101 Datasheet Pagina 4 AO9926BL_101 Datasheet Pagina 5

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AO9926BL Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds630pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

4 N-Channel (Three Level Inverter)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

219A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 150A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 30mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

483nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 1000V

Potenza - Max

925W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

APTMC60TLM55CT3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (Three Level Inverter)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

48A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 2mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 1000V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

FD6M016N03

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

Power-SPM™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

295nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11535pF @ 15V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

EPM15

Pacchetto dispositivo fornitore

EPM15

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

DMG6601LVT-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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