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AO6604

AO6604

Solo per riferimento

Numero parte AO6604
PNEDA Part # AO6604
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 780.114
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO6604 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO6604
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO6604, AO6604 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 767,94 KB)
PDFAO6604L_001 Datasheet Copertura
AO6604L_001 Datasheet Pagina 2 AO6604L_001 Datasheet Pagina 3 AO6604L_001 Datasheet Pagina 4 AO6604L_001 Datasheet Pagina 5 AO6604L_001 Datasheet Pagina 6 AO6604L_001 Datasheet Pagina 7 AO6604L_001 Datasheet Pagina 8 AO6604L_001 Datasheet Pagina 9

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  • AO6604 Distributor

AO6604 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETLogic Level Gate, 4.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.4A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 10V
Potenza - Max1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

72A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

518nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Potenza - Max

416W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

278A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

700nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 25V

Potenza - Max

780W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

APTM100A23SCTG

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

308nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8700pF @ 25V

Potenza - Max

694W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Pacchetto / Custodia

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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