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ALD310702SCL

ALD310702SCL

Solo per riferimento

Numero parte ALD310702SCL
PNEDA Part # ALD310702SCL
Descrizione MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.934
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ALD310702SCL Risorse

Brand Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteALD310702SCL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ALD310702SCL, ALD310702SCL Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 506,72 KB)
PDFALD310702APCL Datasheet Copertura
ALD310702APCL Datasheet Pagina 2 ALD310702APCL Datasheet Pagina 3 ALD310702APCL Datasheet Pagina 4 ALD310702APCL Datasheet Pagina 5 ALD310702APCL Datasheet Pagina 6 ALD310702APCL Datasheet Pagina 7 ALD310702APCL Datasheet Pagina 8 ALD310702APCL Datasheet Pagina 9

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  • ALD310702SCL Distributor

ALD310702SCL Specifiche

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
Tipo FET4 P-Channel, Matched Pair
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id180mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 24V

Potenza - Max

2.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

540mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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