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ALD212908PAL

ALD212908PAL

Solo per riferimento

Numero parte ALD212908PAL
PNEDA Part # ALD212908PAL
Descrizione MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.164
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ALD212908PAL Risorse

Brand Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteALD212908PAL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ALD212908PAL, ALD212908PAL Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 111,34 KB)
PDFALD212908APAL Datasheet Copertura
ALD212908APAL Datasheet Pagina 2 ALD212908APAL Datasheet Pagina 3 ALD212908APAL Datasheet Pagina 4 ALD212908APAL Datasheet Pagina 5 ALD212908APAL Datasheet Pagina 6 ALD212908APAL Datasheet Pagina 7 ALD212908APAL Datasheet Pagina 8 ALD212908APAL Datasheet Pagina 9 ALD212908APAL Datasheet Pagina 10 ALD212908APAL Datasheet Pagina 11

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  • ALD212908PAL Distributor

ALD212908PAL Specifiche

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id20mV @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A, 1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 15V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

Micro8™

DMC1229UFDB-7

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.6A, 3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.6nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

914pF @ 6V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 2A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V

Potenza - Max

5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

850mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

48pF @ 15V, 50pF @ 15V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Serie

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Tipo FET

-

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

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