ALD212900APAL
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| Numero parte | ALD212900APAL |
| PNEDA Part # | ALD212900APAL |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.490 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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ALD212900APAL Risorse
| Brand | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ALD212900APAL |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
ALD212900APAL, ALD212900APAL Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 515,01 KB)
  
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ALD212900APAL Specifiche
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 10.6V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 10mV @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 5V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
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