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ALD210800APCL

ALD210800APCL

Solo per riferimento

Numero parte ALD210800APCL
PNEDA Part # ALD210800APCL
Descrizione MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.490
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ALD210800APCL Risorse

Brand Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteALD210800APCL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ALD210800APCL, ALD210800APCL Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 517,08 KB)
PDFALD210800PCL Datasheet Copertura
ALD210800PCL Datasheet Pagina 2 ALD210800PCL Datasheet Pagina 3 ALD210800PCL Datasheet Pagina 4 ALD210800PCL Datasheet Pagina 5 ALD210800PCL Datasheet Pagina 6 ALD210800PCL Datasheet Pagina 7 ALD210800PCL Datasheet Pagina 8 ALD210800PCL Datasheet Pagina 9 ALD210800PCL Datasheet Pagina 10 ALD210800PCL Datasheet Pagina 11

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  • ALD210800APCL Distributor

ALD210800APCL Specifiche

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
Tipo FET4 N-Channel, Matched Pair
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs25Ohm
Vgs (th) (Max) @ Id10mV @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15pF @ 5V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia16-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore16-PDIP

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V

Potenza - Max

272mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

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