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ALD110802SCL

ALD110802SCL

Solo per riferimento

Numero parte ALD110802SCL
PNEDA Part # ALD110802SCL
Descrizione MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.076
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ALD110802SCL Risorse

Brand Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteALD110802SCL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ALD110802SCL, ALD110802SCL Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 105,93 KB)
PDFALD110802SCL Datasheet Copertura
ALD110802SCL Datasheet Pagina 2 ALD110802SCL Datasheet Pagina 3 ALD110802SCL Datasheet Pagina 4 ALD110802SCL Datasheet Pagina 5 ALD110802SCL Datasheet Pagina 6 ALD110802SCL Datasheet Pagina 7 ALD110802SCL Datasheet Pagina 8 ALD110802SCL Datasheet Pagina 9 ALD110802SCL Datasheet Pagina 10 ALD110802SCL Datasheet Pagina 11

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  • ALD110802SCL Distributor

ALD110802SCL Specifiche

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®
Tipo FET4 N-Channel, Matched Pair
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 4.2V
Vgs (th) (Max) @ Id220mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1810pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 68mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

35000pF @ 10V

Potenza - Max

1875W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1821pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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