A2T18S162W31GSR3
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| Numero parte | A2T18S162W31GSR3 |
| PNEDA Part # | A2T18S162W31GSR3 |
| Descrizione | IC TRANS RF LDMOS |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.364 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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A2T18S162W31GSR3 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | A2T18S162W31GSR3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - RF |
| Datasheet |
A2T18S162W31GSR3, A2T18S162W31GSR3 Datasheet
(Totale pagine: 15, Dimensioni: 463,41 KB)
  
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A2T18S162W31GSR3 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | LDMOS |
| Frequenza | 1.84GHz |
| Guadagno | 20.1dB |
| Tensione - Test | 28V |
| Corrente nominale (Amp) | - |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - Test | 1A |
| Potenza - Uscita | 32W |
| Tensione - Nominale | 65V |
| Pacchetto / Custodia | NI-780GS-2L2LA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | NI-780GS-2L2LA |
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor LDMOS Frequenza 920MHz Guadagno 19.3dB Tensione - Test 28V Corrente nominale (Amp) - Figura di rumore - Corrente - Test 1A Potenza - Uscita 50W Tensione - Nominale 70V Pacchetto / Custodia OM-780-2 Pacchetto dispositivo fornitore OM-780-2 |
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