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9T12062A2001DBHFT

9T12062A2001DBHFT

Solo per riferimento

Numero parte 9T12062A2001DBHFT
PNEDA Part # 9T12062A2001DBHFT
Descrizione RES SMD 2K OHM 0.5% 1/8W 1206
Produttore Yageo
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.650
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

9T12062A2001DBHFT Risorse

Brand Yageo
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte9T12062A2001DBHFT
CategoriaComponenti passiviResistoriResistore in chip - Montaggio superficiale
Datasheet
9T12062A2001DBHFT, 9T12062A2001DBHFT Datasheet (Totale pagine: 176, Dimensioni: 17.864,96 KB)
PDF9C06031A6R80FGHFT Datasheet Copertura
9C06031A6R80FGHFT Datasheet Pagina 2 9C06031A6R80FGHFT Datasheet Pagina 3 9C06031A6R80FGHFT Datasheet Pagina 4 9C06031A6R80FGHFT Datasheet Pagina 5 9C06031A6R80FGHFT Datasheet Pagina 6 9C06031A6R80FGHFT Datasheet Pagina 7 9C06031A6R80FGHFT Datasheet Pagina 8 9C06031A6R80FGHFT Datasheet Pagina 9 9C06031A6R80FGHFT Datasheet Pagina 10 9C06031A6R80FGHFT Datasheet Pagina 11

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9T12062A2001DBHFT Specifiche

ProduttoreYageo
SerieRT
Resistenza2 kOhms
Tolleranza±0.5%
Potenza (Watt)0.125W, 1/8W
ComposizioneThin Film
Caratteristiche-
Coefficiente di temperatura±100ppm/°C
Temperatura di esercizio-55°C ~ 155°C
Pacchetto / Custodia1206 (3216 Metric)
Pacchetto dispositivo fornitore1206
Taglia / Dimensione0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm)
Altezza - Seduto (Max)0.026" (0.65mm)
Numero di cessazioni2
Tasso di fallimento-

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Yageo

Serie

RT

Resistenza

24.3 kOhms

Tolleranza

±1%

Potenza (Watt)

0.25W, 1/4W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±50ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

1206 (3216 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

1206

Taglia / Dimensione

0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.026" (0.65mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Yageo

Serie

RE

Resistenza

1.91 kOhms

Tolleranza

±0.5%

Potenza (Watt)

0.25W, 1/4W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Moisture Resistant

Coefficiente di temperatura

±50ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

1206 (3216 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

1206

Taglia / Dimensione

0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.026" (0.65mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

ERJ-S08D24R3V

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

ERJ

Resistenza

24.3 Ohms

Tolleranza

±0.5%

Potenza (Watt)

0.25W, 1/4W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±100ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

1206 (3216 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

1206

Taglia / Dimensione

0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.028" (0.70mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

RNCF2010DTC6R49

Stackpole Electronics

Produttore

Stackpole Electronics

Serie

RNCF

Resistenza

6.49 Ohms

Tolleranza

±0.5%

Potenza (Watt)

0.333W, 1/3W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±50ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

2010 (5025 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

2010

Taglia / Dimensione

0.193" L x 0.094" W (4.90mm x 2.40mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.026" (0.65mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Susumu

Serie

RR

Resistenza

2.94 kOhms

Tolleranza

±0.5%

Potenza (Watt)

0.063W, 1/16W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C

Pacchetto / Custodia

0603 (1608 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0603

Taglia / Dimensione

0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.020" (0.50mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Venduto di recente

1N5614

1N5614

Semtech

DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL

2SA1943-O(Q)

2SA1943-O(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS PNP 230V 15A TO-3PL

WSL2010R0100FEA18

WSL2010R0100FEA18

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1W 2010

74ACTQ245QSC

74ACTQ245QSC

ON Semiconductor

IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20QSOP

FT232RL-REEL

FT232RL-REEL

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB FS SERIAL UART 28-SSOP

MPU-6000

MPU-6000

TDK InvenSense

IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 24QFN

7M24000020

7M24000020

TXC

CRYSTAL 24MHZ 18PF SMD

MT41K256M16HA-125 IT:E

MT41K256M16HA-125 IT:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

CK45-R3AD222K-NRA

CK45-R3AD222K-NRA

TDK

CAP CER 2200PF 1KV RADIAL

X9C503SIZT1

X9C503SIZT1

Renesas Electronics America Inc.

IC DGTL POT 50KOHM 100TAP 8SOIC

74HC4066BQ,115

74HC4066BQ,115

Nexperia

IC SWITCH QUAD 1X2 14DHVQFN

T520V337M2R5ATE009

T520V337M2R5ATE009

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917