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70V3589S133BFI

70V3589S133BFI

Solo per riferimento

Numero parte 70V3589S133BFI
PNEDA Part # 70V3589S133BFI
Descrizione IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
Produttore IDT, Integrated Device Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.038
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

70V3589S133BFI Risorse

Brand IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte70V3589S133BFI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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70V3589S133BFI Specifiche

ProduttoreIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso4.2ns
Tensione - Alimentazione3.15V ~ 3.45V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia208-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore208-CABGA (15x15)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

200-WFBGA (10x14.5)

MT48LC8M8A2P-75:G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

MT44K32M36RB-083F:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

1.125Gb (32Mb x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.67ns

Tensione - Alimentazione

1.28V ~ 1.42V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

168-BGA

RM24C512C-LMAI-T

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Produttore

Adesto Technologies

Serie

Mavriq™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

CBRAM®

Tecnologia

CBRAM

Dimensione della memoria

512kb (128B Page Size)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100µs, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UDFN (2x3)

MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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