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70T3599S133BC8

70T3599S133BC8

Solo per riferimento

Numero parte 70T3599S133BC8
PNEDA Part # 70T3599S133BC8
Descrizione IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
Produttore IDT, Integrated Device Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.452
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 20 - feb 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

70T3599S133BC8 Risorse

Brand IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte70T3599S133BC8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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70T3599S133BC8 Specifiche

ProduttoreIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria4.5Mb (128K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso4.2ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 2.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-CerDip

RM25C128C-LSNI-T

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

Mavriq™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

CBRAM®

Tecnologia

CBRAM

Dimensione della memoria

128kb (64B Page Size)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100µs, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

BR24G1M-3A

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP-T

MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

64Gb (8G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

132-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

132-VBGA (12x18)

S25FL064LABMFM010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-L

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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