6MS20017E43W37032NOSA1
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| Numero parte | 6MS20017E43W37032NOSA1 |
| PNEDA Part # | 6MS20017E43W37032NOSA1 |
| Descrizione | IGBT MODULE 690V 1200A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.618 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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6MS20017E43W37032NOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 6MS20017E43W37032NOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
6MS20017E43W37032NOSA1, 6MS20017E43W37032NOSA1 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 1.887,71 KB)
  
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6MS20017E43W37032NOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1700V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Potenza - Max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -25°C ~ 55°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Configurazione - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Potenza - Max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input - Termistore NTC - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Configurazione - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Potenza - Max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input - Termistore NTC - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione 2 Independent Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1700V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 650A Potenza - Max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A Corrente - Taglio collettore (Max) 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 54nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Triple, Dual - Common Source Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 80A Potenza - Max 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP6 Pacchetto dispositivo fornitore SP6-P |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 225A Potenza - Max 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 9.2nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
