Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

5LP01C-TB-E

5LP01C-TB-E

Solo per riferimento

Numero parte 5LP01C-TB-E
PNEDA Part # 5LP01C-TB-E
Descrizione MOSFET P-CH 50V 70MA CP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.586
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

5LP01C-TB-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte5LP01C-TB-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
5LP01C-TB-E, 5LP01C-TB-E Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 261,68 KB)
PDF5LP01C-TB-H Datasheet Copertura
5LP01C-TB-H Datasheet Pagina 2 5LP01C-TB-H Datasheet Pagina 3 5LP01C-TB-H Datasheet Pagina 4 5LP01C-TB-H Datasheet Pagina 5 5LP01C-TB-H Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • 5LP01C-TB-E Datasheet
  • where to find 5LP01C-TB-E
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor 5LP01C-TB-E
  • 5LP01C-TB-E PDF Datasheet
  • 5LP01C-TB-E Stock

  • 5LP01C-TB-E Pinout
  • Datasheet 5LP01C-TB-E
  • 5LP01C-TB-E Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • 5LP01C-TB-E Price
  • 5LP01C-TB-E Distributor

5LP01C-TB-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C70mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 10V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7.4pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)250mW (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore3-CP
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

IPD122N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

59A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.2mOhm @ 46A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 46µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

94W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RHU003N03T106

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

UMT3

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

MCP87130T-U/MF

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

43A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

3.3V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

+10V, -8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 12.5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

TK7P60W5,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

670mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 300V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

60W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

CSD19505KTTT

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7920pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DDPAK/TO-263-3

Pacchetto / Custodia

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Venduto di recente

EVQ-PAC09K

EVQ-PAC09K

Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V

A2557SLBTR-T

A2557SLBTR-T

Allegro MicroSystems, LLC

IC DRIVER QUAD 60V 300MA 16SOIC

MP24833GN-Z

MP24833GN-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC LED DRIVER

JAN2N2222A

JAN2N2222A

Microsemi

TRANS NPN 50V 0.8A

B360B-13-F

B360B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB

NE3509M04-A

NE3509M04-A

CEL

FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI

NVMFS5A160PLZT1G

NVMFS5A160PLZT1G

ON Semiconductor

-60V7.7MOHMSINGLE

CS325S25000000ABJT

CS325S25000000ABJT

Citizen Finedevice

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

J201

J201

ON Semiconductor

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

ATSAMS70N20A-CFN

ATSAMS70N20A-CFN

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100VFBGA

PIC16F72-I/SO

PIC16F72-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 28SOIC

SMLP34RGB2W3

SMLP34RGB2W3

Rohm Semiconductor

LED RGB DIFFUSED PICOLED SMD