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55GN01MA-TL-E

55GN01MA-TL-E

Solo per riferimento

Numero parte 55GN01MA-TL-E
PNEDA Part # 55GN01MA-TL-E
Descrizione RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 25.806
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 6 - dic 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

55GN01MA-TL-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte55GN01MA-TL-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
55GN01MA-TL-E, 55GN01MA-TL-E Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 301,91 KB)
PDF55GN01MA-TL-E Datasheet Copertura
55GN01MA-TL-E Datasheet Pagina 2 55GN01MA-TL-E Datasheet Pagina 3 55GN01MA-TL-E Datasheet Pagina 4 55GN01MA-TL-E Datasheet Pagina 5 55GN01MA-TL-E Datasheet Pagina 6 55GN01MA-TL-E Datasheet Pagina 7 55GN01MA-TL-E Datasheet Pagina 8

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55GN01MA-TL-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione4.5GHz ~ 5.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.9dB @ 1GHz
Guadagno10dB @ 1GHz
Potenza - Max400mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore3-MCP

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MAX2601ESA+T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Guadagno

11.6dB

Potenza - Max

6.4W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

HFA3128BZ96

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

BF959G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

700MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

625mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BFP620H7764XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.8V

Frequenza - Transizione

65GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

21.5dB

Potenza - Max

185mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 50mA, 1.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

Venduto di recente

J201

J201

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