4N32(SHORT,F)
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| Numero parte | 4N32(SHORT,F) |
| PNEDA Part # | 4N32-SHORT-F |
| Descrizione | OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 6DIP |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.996 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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4N32(SHORT Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 4N32(SHORT,F) |
| Categoria | Semiconduttori › Isolatori › Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica |
| Datasheet |
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4N32(SHORT Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Numero di canali | 1 |
| Tensione - Isolamento | 2500Vrms |
| Rapporto di trasferimento corrente (min) | 500% @ 10mA |
| Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
| Tempo di accensione / spegnimento (tipico) | 5µs, 100µs (Max) |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | - |
| Tipo di ingresso | DC |
| Tipo di output | Darlington with Base |
| Tensione - Uscita (Max) | 30V |
| Corrente - Uscita / Canale | 100mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Tip) | 1.15V |
| Corrente - DC diretta (If) (Max) | 80mA |
| Saturazione Vce (Max) | 1V |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 100°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
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