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2SK932-22-TB-E

2SK932-22-TB-E

Solo per riferimento

Numero parte 2SK932-22-TB-E
PNEDA Part # 2SK932-22-TB-E
Descrizione JFET N-CH 50MA 200MW CP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $0,6568
500 ---------- $0,6260
1.000 ---------- $0,5952
2.500 ---------- $0,5644
5.000 ---------- $0,5388
10.000 ---------- $0,5131
Disponibile 4.427
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2SK932-22-TB-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK932-22-TB-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2SK932-22-TB-E, 2SK932-22-TB-E Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 1.044,85 KB)
PDF2SK932-23-TB-E Datasheet Copertura
2SK932-23-TB-E Datasheet Pagina 2 2SK932-23-TB-E Datasheet Pagina 3 2SK932-23-TB-E Datasheet Pagina 4

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2SK932-22-TB-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)15V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)7.3mA @ 5V
Corrente assorbita (Id) - Max50mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id200mV @ 100µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max200mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore3-CP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

800mV @ 0.5nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

60 Ohms

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-71-6

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

20mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

100mV @ 10µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

900µA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

800mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

U291-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1.5V @ 3nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 0V

Resistenza - RDS (On)

7 Ohms

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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