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2SK715U

2SK715U

Solo per riferimento

Numero parte 2SK715U
PNEDA Part # 2SK715U
Descrizione JFET N-CH 50MA 300MW SPA
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.020
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK715U Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK715U
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2SK715U, 2SK715U Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 777,4 KB)
PDF2SK715W-AC Datasheet Copertura
2SK715W-AC Datasheet Pagina 2 2SK715W-AC Datasheet Pagina 3 2SK715W-AC Datasheet Pagina 4 2SK715W-AC Datasheet Pagina 5

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2SK715U Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)15V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)7.3mA @ 5V
Corrente assorbita (Id) - Max50mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id600mV @ 100µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10pF @ 5V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaSC-72
Pacchetto dispositivo fornitore3-SPA

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-206AF (TO-72)

MMBFJ176

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

250 Ohms

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

MX2N4393

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFR30,215

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

10mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 0.5nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

50V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

300µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

6.5mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

400mV @ 100nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8.2pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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