2SK596S-B
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| Numero parte | 2SK596S-B | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 2SK596S-B | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET N-CH 1MA 100MW SPA | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 20.035 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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2SK596S-B Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | 2SK596S-B |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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2SK596S-B Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 150µA @ 5V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | 1mA |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 500mV @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4.1pF @ 5V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 100mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | SC-72 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-SPA |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 5V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 85 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 600µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 180mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 200 Ohms Potenza - Max 100mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore SMCP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 800mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 300 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
