2SK4125-1EX
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| Numero parte | 2SK4125-1EX |
| PNEDA Part # | 2SK4125-1EX |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 17A TO3P |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.940 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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2SK4125-1EX Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SK4125-1EX |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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2SK4125-1EX Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 610mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 30V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 170W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P-3L |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 498pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
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