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2SK4093TZ-E

2SK4093TZ-E

Solo per riferimento

Numero parte 2SK4093TZ-E
PNEDA Part # 2SK4093TZ-E
Descrizione MOSFET N-CH 250V 1A TO-92
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.802
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 22 - nov 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK4093TZ-E Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK4093TZ-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
2SK4093TZ-E, 2SK4093TZ-E Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 119,74 KB)
PDF2SK4093TZ-E Datasheet Copertura
2SK4093TZ-E Datasheet Pagina 2 2SK4093TZ-E Datasheet Pagina 3 2SK4093TZ-E Datasheet Pagina 4 2SK4093TZ-E Datasheet Pagina 5 2SK4093TZ-E Datasheet Pagina 6 2SK4093TZ-E Datasheet Pagina 7 2SK4093TZ-E Datasheet Pagina 8 2SK4093TZ-E Datasheet Pagina 9

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2SK4093TZ-E Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6Ohm @ 500mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds140pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)900mW (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92MOD
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 Long Body

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25.5mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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IPL60R160CFD7AUMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

NTD4858NA-1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.2A (Ta), 73A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1563pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta), 54.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.4A (Ta), 65A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1308pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.28W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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