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2SK2145-GR(TE85L,F

2SK2145-GR(TE85L,F

Solo per riferimento

Numero parte 2SK2145-GR(TE85L,F
PNEDA Part # 2SK2145-GR-TE85L-F
Descrizione MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.878
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK2145-GR(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK2145-GR(TE85L,F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET

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2SK2145-GR(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)2.6mA @ 10V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id200mV @ 100nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13pF @ 10V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74A, SOT-753
Pacchetto dispositivo fornitoreSMV

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

15V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

16mA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

50mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

300mV @ 100µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

3-CP

MMBF5462

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1.8V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

20mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

3-CP

2N4391-E3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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