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2SK1070PIETL-E

2SK1070PIETL-E

Solo per riferimento

Numero parte 2SK1070PIETL-E
PNEDA Part # 2SK1070PIETL-E
Descrizione JFET N-CH MPAK
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.670
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK1070PIETL-E Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK1070PIETL-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2SK1070PIETL-E, 2SK1070PIETL-E Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 141,91 KB)
PDF2SK1070PIETR-E Datasheet Copertura
2SK1070PIETR-E Datasheet Pagina 2 2SK1070PIETR-E Datasheet Pagina 3 2SK1070PIETR-E Datasheet Pagina 4 2SK1070PIETR-E Datasheet Pagina 5 2SK1070PIETR-E Datasheet Pagina 6

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2SK1070PIETL-E Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)22V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)12mA @ 5V
Corrente assorbita (Id) - Max50mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id0V @ 10µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9pF @ 5V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max150mW
Temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore3-MPAK

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Produttore

ON Semiconductor

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-

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N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 3nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT-3

TF252-4-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

140µA @ 2V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

100mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.1pF @ 2V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

30mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

750mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

300mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

40mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

12 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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