Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

2SJ438(CANO,Q,M)

2SJ438(CANO,Q,M)

Solo per riferimento

Numero parte 2SJ438(CANO,Q,M)
PNEDA Part # 2SJ438-CANO-Q-M
Descrizione MOSFET P-CH
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.644
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 21 - feb 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SJ438(CANO Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SJ438(CANO,Q,M)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
2SJ438(CANO, 2SJ438(CANO Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 410,33 KB)
PDF2SJ438 Datasheet Copertura
2SJ438 Datasheet Pagina 2 2SJ438 Datasheet Pagina 3 2SJ438 Datasheet Pagina 4 2SJ438 Datasheet Pagina 5 2SJ438 Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • 2SJ438(CANO,Q,M) Datasheet
  • where to find 2SJ438(CANO,Q,M)
  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438(CANO,Q,M)
  • 2SJ438(CANO,Q,M) PDF Datasheet
  • 2SJ438(CANO,Q,M) Stock

  • 2SJ438(CANO,Q,M) Pinout
  • Datasheet 2SJ438(CANO,Q,M)
  • 2SJ438(CANO,Q,M) Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • 2SJ438(CANO,Q,M) Price
  • 2SJ438(CANO,Q,M) Distributor

2SJ438(CANO Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220NIS
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

I prodotti a cui potresti essere interessato

AUIRF3805S-7TRL

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

160A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 140A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7820pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK (7-Lead)

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

TK7J90E,S1E

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVIII

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P(N)

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

IPD90P03P404ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 253µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

137W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI3442DV

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

365pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

DKI06186

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

31A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 15.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

37W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Venduto di recente

TDA08H0SB1

TDA08H0SB1

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

PMV65XP,215

PMV65XP,215

Nexperia

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

CDRH2D14NP-2R2NC

CDRH2D14NP-2R2NC

Sumida

FIXED IND 2.2UH 1.6A 94 MOHM SMD

HSMF-C155

HSMF-C155

Broadcom

LED GREEN/RED DIFFUSED CHIP SMD

9ZXL0831EKILF

9ZXL0831EKILF

IDT, Integrated Device Technology

DB800ZL

REF195GS

REF195GS

Analog Devices

IC VREF SERIES 5V 8SOIC

BAT41ZFILM

BAT41ZFILM

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD123

KA7810AETU

KA7810AETU

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 10V 1A TO220-3

SP3010-04UTG

SP3010-04UTG

Littelfuse

TVS DIODE 6V 12.3V 10UDFN

PFS7539H

PFS7539H

Power Integrations

IC PFC CTLR 1000W 180VAC 16ESIP

AXH016A0X3-SRZ

AXH016A0X3-SRZ

ABB Embedded Power

DC DC CONVERTER 0.8-3.6V 58W

PM-K44P

PM-K44P

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR OPT SLOT PNP MODULE