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2SJ358C(0)-T1-AZ

2SJ358C(0)-T1-AZ

Solo per riferimento

Numero parte 2SJ358C(0)-T1-AZ
PNEDA Part # 2SJ358C-0-T1-AZ
Descrizione TRANSISTOR
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.860
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Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SJ358C(0)-T1-AZ Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SJ358C(0)-T1-AZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SJ358C(0)-T1-AZ, 2SJ358C(0)-T1-AZ Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 201,74 KB)
PDF2SJ358C(0)-T1-AZ Datasheet Copertura
2SJ358C(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 2 2SJ358C(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 3 2SJ358C(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 4 2SJ358C(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 5 2SJ358C(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 6 2SJ358C(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 7 2SJ358C(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 8

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  • 2SJ358C(0)-T1-AZ Distributor

2SJ358C(0)-T1-AZ Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di transistor-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Potenza - Max-
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 2A, 2V

Potenza - Max

6W

Frequenza - Transizione

30MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

2N4233A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PCP

JAN2N3879

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/526

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

7A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

75V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 400mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

25mA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 5V

Potenza - Max

35W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-213AA, TO-66-2

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

350V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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