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2SD17050P

2SD17050P

Solo per riferimento

Numero parte 2SD17050P
PNEDA Part # 2SD17050P
Descrizione TRANS NPN 80V 10A TOP-3F
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.634
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SD17050P Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SD17050P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SD17050P, 2SD17050P Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 249,26 KB)
PDF2SD17050P Datasheet Copertura
2SD17050P Datasheet Pagina 2 2SD17050P Datasheet Pagina 3 2SD17050P Datasheet Pagina 4

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2SD17050P Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)10A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)80V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 1A, 10A
Corrente - Taglio collettore (Max)10µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce130 @ 3A, 2V
Potenza - Max3W
Frequenza - Transizione20MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTOP-3F
Pacchetto dispositivo fornitoreTOP-3F-A1

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 200mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 1V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

60MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220NIS

JANTX2N6274

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/514

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 10A, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 20A, 4V

Potenza - Max

250W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-204AE

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3

2SB1215T-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 150mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

2-TP-FA

BC309BBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2N333LT2

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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749196321

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