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2SC3583-A

2SC3583-A

Solo per riferimento

Numero parte 2SC3583-A
PNEDA Part # 2SC3583-A
Descrizione RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23-3
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.106
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC3583-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC3583-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SC3583-A, 2SC3583-A Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 1.917,57 KB)
PDF2SC3583-A Datasheet Copertura
2SC3583-A Datasheet Pagina 2 2SC3583-A Datasheet Pagina 3 2SC3583-A Datasheet Pagina 4 2SC3583-A Datasheet Pagina 5

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2SC3583-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione9GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Guadagno15dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)65mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

MAX2602ESA+T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Guadagno

11.6dB

Potenza - Max

6.4W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

BFG 193 E6433

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

10.5dB ~ 16dB

Potenza - Max

600mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT223-4

MPS5179RLRAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

200W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MDS60L

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.03GHz ~ 1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

120W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AW

Pacchetto dispositivo fornitore

55AW

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