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2SC2235-Y,T6KEHF(M

2SC2235-Y,T6KEHF(M

Solo per riferimento

Numero parte 2SC2235-Y,T6KEHF(M
PNEDA Part # 2SC2235-Y-T6KEHF-M
Descrizione TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.032
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC2235-Y Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC2235-Y,T6KEHF(M
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SC2235-Y, 2SC2235-Y Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 128,05 KB)
PDF2SC2235-Y Datasheet Copertura
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  • 2SC2235-Y,T6KEHF(M Distributor

2SC2235-Y Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)800mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)120V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 100mA, 5V
Potenza - Max900mW
Frequenza - Transizione120MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92MOD

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

TN6705A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 250mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-226-3

FJX1182YTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 3A, 2V

Potenza - Max

3W

Frequenza - Transizione

30MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

5V @ 3A, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 5A, 5V

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