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2SC2235-O(T6FJT,FM

2SC2235-O(T6FJT,FM

Solo per riferimento

Numero parte 2SC2235-O(T6FJT,FM
PNEDA Part # 2SC2235-O-T6FJT-FM
Descrizione TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.200
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC2235-O(T6FJT Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC2235-O(T6FJT,FM
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SC2235-O(T6FJT, 2SC2235-O(T6FJT Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 128,05 KB)
PDF2SC2235-Y Datasheet Copertura
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2SC2235-O(T6FJT Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)800mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)120V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 100mA, 5V
Potenza - Max900mW
Frequenza - Transizione120MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92MOD

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

200V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 10A, 3V

Potenza - Max

6W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

700mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

140V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 20mA, 200mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 2V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

290MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 50mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

10W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 12V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

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