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2SA1978-T1B-A

2SA1978-T1B-A

Solo per riferimento

Numero parte 2SA1978-T1B-A
PNEDA Part # 2SA1978-T1B-A
Descrizione RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.714
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 24 - set 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SA1978-T1B-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SA1978-T1B-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SA1978-T1B-A, 2SA1978-T1B-A Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 2.375,83 KB)
PDF2SA1978-A Datasheet Copertura
2SA1978-A Datasheet Pagina 2 2SA1978-A Datasheet Pagina 3 2SA1978-A Datasheet Pagina 4 2SA1978-A Datasheet Pagina 5 2SA1978-A Datasheet Pagina 6 2SA1978-A Datasheet Pagina 7 2SA1978-A Datasheet Pagina 8 2SA1978-A Datasheet Pagina 9 2SA1978-A Datasheet Pagina 10

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2SA1978-T1B-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorPNP
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione5.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)2dB @ 1GHz
Guadagno10dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 15mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

400W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M218

Pacchetto dispositivo fornitore

M218

BF776E6327FTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

46GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

24dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 30mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

BFP720ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

43GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz

Guadagno

11dB ~ 30.5dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 15mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

MS2211

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

48V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.3dB

Potenza - Max

25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

900mA

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M222

Pacchetto dispositivo fornitore

M222

BFG94,115

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

700mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

45 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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