2SA1930(LBS2MATQ,M
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| Numero parte | 2SA1930(LBS2MATQ,M |
| PNEDA Part # | 2SA1930-LBS2MATQ-M |
| Descrizione | TRANS PNP 2A 180V TO220-3 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.820 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 18 - feb 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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2SA1930(LBS2MATQ Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SA1930(LBS2MATQ,M |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
| Datasheet |
2SA1930(LBS2MATQ, 2SA1930(LBS2MATQ Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 138,32 KB)
  
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2SA1930(LBS2MATQ Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 2A |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 180V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 5µA (ICBO) |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
| Potenza - Max | 2W |
| Frequenza - Transizione | 200MHz |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220NIS |
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