2N7635-GA
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| Numero parte | 2N7635-GA |
| PNEDA Part # | 2N7635-GA |
| Descrizione | TRANS SJT 650V 4A TO-257 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.518 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N7635-GA Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2N7635-GA |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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2N7635-GA Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) (165°C) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415mOhm @ 4A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 35V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 47W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-257 |
| Pacchetto / Custodia | TO-257-3 |
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