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2N6667G

2N6667G

Solo per riferimento

Numero parte 2N6667G
PNEDA Part # 2N6667G
Descrizione TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 18.720
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N6667G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N6667G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2N6667G, 2N6667G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 113,75 KB)
PDF2N6667 Datasheet Copertura
2N6667 Datasheet Pagina 2 2N6667 Datasheet Pagina 3 2N6667 Datasheet Pagina 4 2N6667 Datasheet Pagina 5 2N6667 Datasheet Pagina 6

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2N6667G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)10A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic3V @ 100mA, 10A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 5A, 3V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 3mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 3A, 2V

Potenza - Max

30W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

FJC2383OTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 200mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89-3

PHE13003A,412

WeEn Semiconductors

Produttore

WeEn Semiconductors

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 250mA, 750mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 400mA, 5V

Potenza - Max

2.1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BC859CLT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

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