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2N5551_J18Z

2N5551_J18Z

Solo per riferimento

Numero parte 2N5551_J18Z
PNEDA Part # 2N5551_J18Z
Descrizione TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.304
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N5551_J18Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N5551_J18Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2N5551_J18Z, 2N5551_J18Z Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 336,76 KB)
PDF2N5551_J61Z Datasheet Copertura
2N5551_J61Z Datasheet Pagina 2 2N5551_J61Z Datasheet Pagina 3 2N5551_J61Z Datasheet Pagina 4 2N5551_J61Z Datasheet Pagina 5 2N5551_J61Z Datasheet Pagina 6 2N5551_J61Z Datasheet Pagina 7 2N5551_J61Z Datasheet Pagina 8 2N5551_J61Z Datasheet Pagina 9 2N5551_J61Z Datasheet Pagina 10 2N5551_J61Z Datasheet Pagina 11

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2N5551_J18Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)600mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)160V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic200mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)50nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Potenza - Max625mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN + Diode (Isolated)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

270mV @ 125mA, 4.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

25nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 2V

Potenza - Max

3W

Frequenza - Transizione

140MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MLP/DFN (3x2)

JANTXV2N6249T1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/510

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

200V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 10A, 3V

Potenza - Max

6W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-254AA

BC489BZL1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

KSC2331OTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

700mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BC 817-25 E6433

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

330mW

Frequenza - Transizione

170MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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