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2N5550RLRP

2N5550RLRP

Solo per riferimento

Numero parte 2N5550RLRP
PNEDA Part # 2N5550RLRP
Descrizione TRANS NPN 140V 0.6A TO-92
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 6.696
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2N5550RLRP Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N5550RLRP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2N5550RLRP, 2N5550RLRP Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 84,82 KB)
PDF2N5551 Datasheet Copertura
2N5551 Datasheet Pagina 2 2N5551 Datasheet Pagina 3 2N5551 Datasheet Pagina 4 2N5551 Datasheet Pagina 5 2N5551 Datasheet Pagina 6

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2N5550RLRP Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)600mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)140V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 10mA, 5V
Potenza - Max625mW
Frequenza - Transizione300MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 100µA, 5V

Potenza - Max

225mW

Frequenza - Transizione

40MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

MJD112T4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

20µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

Potenza - Max

20W

Frequenza - Transizione

25MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

KST4123MTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 2mA, 1V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

MPS6601RLRAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MJD32CT4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

Potenza - Max

15W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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