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2N5460_L99Z

2N5460_L99Z

Solo per riferimento

Numero parte 2N5460_L99Z
PNEDA Part # 2N5460_L99Z
Descrizione IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.006
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N5460_L99Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N5460_L99Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2N5460_L99Z, 2N5460_L99Z Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 60,19 KB)
PDF2N5462 Datasheet Copertura
2N5462 Datasheet Pagina 2 2N5462 Datasheet Pagina 3 2N5462 Datasheet Pagina 4 2N5462 Datasheet Pagina 5

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2N5460_L99Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)40V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id750mV @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7pF @ 15V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max350mW
Temperatura di esercizio-65°C ~ 135°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92 (TO-226)

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2.5V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-206AF (TO-72)

TF202THC-4-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

140µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

200mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

3-VTFP

MX2N4393

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2N5462

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1.8V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 135°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

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-

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-

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