2N5115UB
Solo per riferimento
| Numero parte | 2N5115UB |
| PNEDA Part # | 2N5115UB |
| Descrizione | P CHANNEL JFET |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.348 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
2N5115UB Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | 2N5115UB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- 2N5115UB Datasheet
- where to find 2N5115UB
- Microsemi
- Microsemi 2N5115UB
- 2N5115UB PDF Datasheet
- 2N5115UB Stock
- 2N5115UB Pinout
- Datasheet 2N5115UB
- 2N5115UB Supplier
- Microsemi Distributor
- 2N5115UB Price
- 2N5115UB Distributor
2N5115UB Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 60mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 6V @ 1nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
| Resistenza - RDS (On) | 100 Ohms |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 3-SMD, No Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UB |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 10 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500µA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 60 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 35V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 50 Ohms Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 24mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-78-6 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-78-6 |
