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2N4416-E3

2N4416-E3

Solo per riferimento

Numero parte 2N4416-E3
PNEDA Part # 2N4416-E3
Descrizione JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.880
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N4416-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N4416-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2N4416-E3, 2N4416-E3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 81,15 KB)
PDFSST4416-T1-E3 Datasheet Copertura
SST4416-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SST4416-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SST4416-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SST4416-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SST4416-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SST4416-T1-E3 Datasheet Pagina 7

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  • 2N4416-E3 Distributor

2N4416-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)30V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id3V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4pF @ 15V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-206AF (TO-72)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

50mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 100µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

78 mOhms

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-CPH

MX2N4857UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2SK2593JQL

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

30mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 10µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6.5pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

125mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

SSMini3-F1

2SK33720RL

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

Corrente assorbita (Id) - Max

2mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 80°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

SSSMini3-F1

5185-2N4392

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

60 Ohms

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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-

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